WWW.LIB.KNIGI-X.RU
БЕСПЛАТНАЯ  ИНТЕРНЕТ  БИБЛИОТЕКА - Электронные материалы
 

«OxfOrd Instruments Plasma technOlOgy ПолуПроводниковое и наПылительное оборудование OxfOrd Instruments Plasma technOlOgy Компания Oxford Instruments Plasma Technology является ...»

OxfOrd Instruments

Plasma technOlOgy

ПолуПроводниковое и наПылительное оборудование

www.intech-group.ru

OxfOrd Instruments

Plasma technOlOgy

Компания Oxford Instruments Plasma Technology является одним из ведущих

поставщиков оборудования и современных технологических процессов для

травления и осаждения микро и нано структур. Предлагаемое оборудование

реализует операции микронной и субмикронной технологии для

производства и исследований в области полупроводников, оптоэлектроники,

микромеханики, прецизионной оптики и нанотехнологии.

Системы Oxford Instruments Plasma Technology реализуют процессы плазмохимического травления и осаждения, атомно-слоевого осаждения, ионно-пучкового травления и осаждения. Широкий спектр модификаций систем позволяет заказать конфигурации от лабораторной установки до производственного кластера с перегрузкой подложек из кассеты в кассету.

В Oxford Instruments Plasma Technology работает собственная лаборатория, которая обеспечена полным парком технологических установок и современным измерительным и контрольным оборудованием. Лаборатория производит пробную обработку образцов заказчика, модификацию процессов по спецификации заказчика и технологическую поддержку клиентов в течение всего срока эксплуатации оборудования на площадке заказчика.

С момента основания в 1980 г., компания Oxford Plasma установила более 3000 систем в лабораториях и производствах по всему миру. Оборудование, выпускаемое Oxford Instruments Plasma Technology соответствует требованиям TQM с 1993 г. и стандарту ISO 9001 с 1996 г.



www.intech-group.ru травление осаждение Плазмохимическое травление гетероструктур: Плазмохимическое осаждение RIE, ICP Etch диэлектриков PECVD Плазмохимическое травление диэлектриков: Низкотемпературное плазмохимическое RIE, ICP Etch осаждение диэлектриков ICP CVD Плазмохимическое травление кремния CVD осаждение SiO2 из TEOS (Бош процесс): ICP Etch Криогенное травление кремния: ICP Etch Направленный рост нанотрубок Плазмохимическое травление металлов: Высоко аспектное осаждение RIE, ICP Etch диэлектриков ALD Ионно-лучевое травление металлов: Осаждение наноразмерных слоев ALD IBE, CAIBE. на сверхмалые объекты

–  –  –

PlasmaPrO 800 Системы серии PlasmaPro 800 предлагают гибкие и высокопроизводительные решения для организации мелкосерийного и серийного производства.

Система предлагается в различных вариантах исполнения:

–  –  –

www.intech-group.ru PlasmaPrO 100 Системы серии PlasmaPro 100 предлагают гибкие и производительные решения для организации исследовательских работ, мелкосерийного и серийного производства. Подача подложки или карьера в камеру осуществляется через вакуумный шлюз с ручной загрузкой.

Вакуумный шлюз вынесен за габарит рамы установки и допускает установку «сквозь стену». Установка «сквозь стену» существенно экономит пространство чистой комнаты и снижает затраты на ее эксплуатацию.

Основной модуль установки PlasmaPro 100 полностью совместим по стандарту MESC. Поэтому модули PlasmaPro могут использоваться в кластерной системе серии System 100 Pro или других кластерных системах совместимых со стандартом MESC.

Система предлагается в различных вариантах исполнения:

плазмохимическое осаждение (ПХО, PECVD) плазмохимическое осаждение с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP-CVD) комбинированные процессы плазменно-стимулированного осаждения из газовой фазы и термического осаждения из газовой фазы (PECVD-CVD, LPCVD) реактивное ионное травление (РИТ, RIE) плазмохимическое травление (ПХТ, PE) комбинированные РИТ/ПХТ процессы плазмохимическое травление с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP Etch).





Система оснащается столиком-подложкодержателем диаметром 240 мм, на котором может быть размещена подложка диаметром от 50мм до 200 мм. Подложки небольших размеров могут загружаться в камеру на карьере.

размер подложки 50 мм/ 2” 75 мм/ 3” 100 мм/ 4” 150 мм/ 5” 200 мм/ 6” максимальная загрузка 9 шт 4 шт 2 шт 1 шт 1 шт PlasmaPrO 100 estrelas PlasmaPro 100 Estrelas предназначена для процессов глубокого травления кремния (Deep Silicon Etch, DSE). В конструкции установки предусмотрены самые передовые решения для обеспечения наилучшего качества, воспроизводимости и стабильности технологического процесса.

Уникальная конструкция установки позволяет реализовать в одной системе два метода глубокого травления; Бошпроцесс (Bosh process)и криогенное травление (Cryogenic etch).

Система работает с подложками 50-200 мм. Для производственных приложений система оснащается электростатическим прижимом подложек (Electrostatic Chuck).

–  –  –

PlasmaPrO ngP 1000 Системы серии PlasmaPro NGP 1000 спроектированы для работы в производственных условиях. Рекордный размер электрода обеспечивает как обработку перспективных подложек стандарта 450 мм, так и одновременную работу с большим количеством подложек меньшего диаметра.

Установки серии PlasmaPro System NGP 1000 являются одним из наилучших решений для производства светодиодов (LED и HBLED).

Основной модуль установки PlasmaPro NGP 1000 полностью совместим по стандарту MESC. Модули PlasmaPro NGP 1000 могут комбинироваться в кластерные системы для увеличения производительности или выполнения последовательных технологических операций травления и осаждения.

Система предлагается в различных вариантах исполнения:

плазмохимическое осаждение (ПХО, PECVD) реактивное ионное травление (РИТ, RIE) Система оснащается столиком-подложкодержателем диаметром 490 мм, на котором может быть размещена подложка диаметром от 50 мм до 450 мм. Подложки небольших размеров могут загружаться в камеру на карьере.

–  –  –

www.intech-group.ru OPal OpAL - малогабаритная система с непосредственной загрузкой подложек в рабочую камеру представляет собой гибкое и недорогое решение для проведения исследовательских работ. Установка работает с подложками диаметром до 200 мм. Оснащена модулем подачи прекурсоров и малоинерционным подложкодержателем с прогревом до 400 °С. Идеально подходит для осаждения слоев оксидов (HfO2, Al2O3, Ta2O5). Для осаждения нитридов (TiN, TaN, AlN, GaN, Si3N4) и слоев металлов (Au, Ru, Cu, W) система оснащается азотным перчаточным ящиком.

Система предлагается в различных вариантах исполнения:

атомно слоевое осаждение (АСО, ALD) атомно слоевое осаждение с удаленным источником плазмы (ПАСО, RP-ALD) flexal FlexAL - уникальная многофункциональная система со шлюзовой или кассетной загрузкой подложек для исследовательских работ, мелкосерийного производства и отработки новых методик осаждения атомных слоев в приложениях наноэлектроники, микромеханики, биомеханики, фотовольтаики и топливных элементов.

На установке FlexAL получены уникальные результаты по повышению эффективности солнечных элементов и по осаждению монослоев на поверхность нанотрубок.

Система FlexAL реализует как технологию «классического» атомно слоевого осаждения (Thermal ALD) так и технологию атомно слоевого осаждения с источником плазмы (Remote Plasma ALD).

Рабочий модуль установки FlexAL полностью совместим по стандарту MESC и может использоваться в кластерной системе серии System 100 Pro или других кластерных системах совместимых со стандартом MESC.

–  –  –

nanOfab Системы Nanofab700 и Nanofab800Agile позволяют выращивать нанотрубки и нанопровода с высокой скоростью роста и прецизионным контролем условий роста. Системы созданы на основе серии Plasmalab System 100. Основным достоинством серии Nanofab является использование теплостойких материалов c низкой теплоемкостью, устойчивых к температурным перепадам. Скорость нагрева подложкодержателя установки Nonofab 800 Agile достигают 130 °С/мин. Столь высокий показатель достигнут благодаря использованию специально сконструированного элемента нагревателя на базе PBN технологии.

Системы серии Nanofab позволяют проводить процессы формирования островов роста и плазменной активации катализаторов роста нанотрубок.

Контроль скорости роста, направленния роста и диаметра нанотрубок достигается одновременным варьированием температуры электрода, частоты возбуждения плазмы и мощности, вкладываемой в разряд. Рабочий модуль установки Nanofab полностью совместим по стандарту MESC и может использоваться в кластерной системе серии System 100 Pro или других кластерных системах совместимых со стандартом MESC.

www.intech-group.ru IOnfab 300 Система Infab 300 plus может быть сконфигурирована как для задач ионнолучевого травления, так и для задач осаждения с распылением мишени ионным пучком.

Во всех системах серии Ionfab применяются плазменные ВЧ источники с нейтрализатором пучка. В зависимости от приложения могут использоваться источники диаметром 15 или 35 см и различные варианты формирующих сеток для получения оптимального пространственного распределения тока пучка.

Помимо специализированных конфигураций для травления и осаждения, система Ionfab 300 plus предоставляет уникальную возможность совмещения двух технологий в одной установке.

В этом случае система оснащается двумя источниками ионов.

Дополнительный ионный источник может использоваться для травления или очистки поверхности подложки перед осаждением, а также для ионного ассистирования в процессе осаждения.

Система Optofab 3000 является специализированной версией Ionfab 300 для осаждения прецизионных многослойных оптических покрытий.

Основной модуль установки Ionfab 300 plus полностью совместим по стандарту MESC. Модули Ionfab 300 plus могут использоваться в кластерной системе серии System 100 Pro или других кластерных системах совместимых со стандартом MESC.

IOnfab 500 Система Ionfab 500 является специализированной системой для осаждения прецизионных оптических покрытий с большой производительностью.

Система оснащена 4-мя планетарными держателями диаметром 254 мм каждый, что позволяет в одном цикле обрабатывать большое число образцов или подложек. Вместе с тем, однородность осаждения по каждому держателю оказывается не хуже 2.5%, что гарантирует высокое качество получаемых покрытий.

–  –  –

Плазмохимическое травление или Пхт Плазмохимическое Травление или ПХТ (в английской литературе

- Plasma Etch или PE) является стандартным вариантом сухого изотропного травления. Наиболее распространенной конфигурацией ПХТ для приложений микроэлектронных технологий является емкостной высокочастотный разряд между параллельными электродами (сapaсitively coupled discharge). Подложка размещается на заземленном электроде. ВЧ напряжение 13.56 МГц подводится к противоположному электроду. Для подачи газов в зону разряда используется подвод газа через т.н. газовый душ в нагруженном электроде. Травление происходит большей частью за счет активных радикалов. Ионная бомбардировка подложки, расположенной на заземленном электроде, минимальна из-за существенной асимметрии разряда.

реактивное ионное травление с источником индуктивно связанной Плазмы Реактивное Ионное Травление с Источником Индуктивно Связанной Плазмы (в английской литературе - Inductively Coupled Plasma Etch, Reactive Ion Etching with Inductive Plasma, или ICP Etch, RIE/ ICP), представляет собой развитие стандартной технологии реактивного ионного травления.. В конфигурации ICP Etch для создания плазмы используется индуктивный разряд. Мощность, вкладываемая в индуктивный разряд, определяет плотность плазмы и, как следствие, плотность активных радикалов и ионов. Подложка размещается на электроде, к которому подводится ВЧ напряжение для создания электрического смещения. Величина смещения электрода подложкодержателя определяет энергию и поток ионов на поверхность подложки.

Плотность плазмы, создаваемой индуктивным источником, достигает значений 1011 см-3 и существенно превышает плотность плазмы в стандартных RIE системах. Соответственно, скорости травления в ICP Etch системах оказываются выше, чем скорости в сопоставимых RIE конфигурациях. Независимое управление энергией ионов в ICP Etch системах позволяет значительно улучшить параметры селективности и управления профилем травления.

При высоких скоростях травления в ICP Etch конфигурациях может наблюдаться перегрев подложек. Для улучшения теплоотвода от подложки к охлаждаемому электроду в установках PlasmaPro ICP Etch применяется система поддува гелия под подложку.

www.intech-group.ru схемы Плазмохимического осаждения технология Плазмохимического осаждения из газовой Фазы или Пхо Технология Плазмохимического Осаждения из Газовой Фазы или ПХО (в английской литературе - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition или PECVD) использует газоразрядную плазму для разложения реакционного газа на активные радикалы. Термодинамическая неравновесность процессов разложения в газовом разряде позволяет проводить осаждение аморфных и поликристаллических пленок при значительно более низких температурах, чем в аналогичных процессах химического осаждения из газовой фазы (CVD) с термическим разложением реакционного газа.

С 80-х годов, стандартной конфигурацией ПХО для приложений микроэлектронных технологий является емкостной высокочастотный разряд между параллельными электродами (сapaсitively coupled discharge). В процессах плазмохимического осаждения подложка располагается на прогреваемом электроде, который электрически соединен с корпусом камеры. ВЧ напряжение подается к верхнему электроду, который оборудован газовым душем для подачи и распределения смеси реакционных газов.

Свойства и состав получаемого слоя контролируются составом газовой смеси, температурой подложки и условиями ионной бомбардировки. Так, например, для контроля механической напряженности пленок SixNy может применяться режим смешанного возбуждения разряда током высокой (13.56 МГц) и средней частоты (50 - 460 кГц).

Плазмохимическое осаждение с источником индуктивно связанной Плазмы (cVd-IcP) Плазмохимическое осаждение с источником индуктивно связанной плазмы (CVD-ICP) является усовершенствованным вариантом технологии PECVD.

Для разложения реакционного газа на активные радикалы используется плазма индуктивного разряда. Подложка размещается на электроде, к которому подводится ВЧ напряжение для создания электрического смещения. Величина смещения электрода подложкодержателя определяет энергию и поток ионов на поверхность подложки. Свойства и состав получаемой пленки контролируются составом газовой смеси, мощностью индуктивного разряда, температурой подложки и условиями ионной бомбардировки.

Наличие регулируемого по энергии и плотности потока ионов на подложку позволяет подобрать режимы низкотемпературного (вплоть до 50 °С ) осаждения качественных слоев в SiO2, SiNx.

Давления процесса в системе CVD-ICP обычно лежит в диапазоне 1-10 мТор.

Оптимальное соотношения давления и газового потока через камеру поддерживается системой стабилизации давления с затвором переменного сечения.

В зависимости от требуемой температуры процесса электрод подложкодержатель может работать как в режиме охлаждения, так и в режиме нагрева (при температурах процесса 150 °C).

www.intech-group.ru Компания ИНТЕК является официальным представителем Oxford Instruments Plasma Technology на территории России, Украины, Белоруссии и Казахстана.

Квалифицированные специалисты компании ИНТЕК сертифицированы компанией Oxford Instruments Plasma Technology для проведения продаж и обслуживания оборудования фирмы. Компания ИНТЕК осуществляет предпродажное согласование комплектации и функциональности оборудования, выполняет необходимые таможенные процедуры и поставку оборудования до склада заказчика. Сервис инженеры компании ИНТЕК осуществляют пуско-наладку, гарантийное и сервисное обслуживание оборудования.

Похожие работы:

«Передача, обработка, восприятие текстовой и графической информации УДК 686.434 Диль О. В., Мильдер О. Б. УрФУ, г. Екатеринбург, Россия технологии создания Металлизированных эффектов в цифровой печати Аннотация...»

«Васіль Быкаў На крыжах Выступленні, артыкулы, інтэрв'ю Мінск "Беларусь" ББК 84 Бел 7 Б 95 Серыя заснавана ў 1991 годзе Быкаў В. У. На крыжах: Выступленні, артыкулы, інтэрв'ю. — Мн.: Беларусь, 1992. — 271 с. — (Сер. "Плошча Свабоды"), ISBN 5-338-00981-1. У кнізе публіцыстыкі народнага пісьменніка Беларусі сабраны выступленні, артыкулы, інтэрв'ю часоў...»

«Оглавление Затраты времени обучающегося на изучение дисциплины 2 Введение 3 1.Цель и задачи дисциплины 3 2. Место дисциплины в учебном процессе направления подготовки 35.03.02 6 3. Требования к знаниям, умениям и владениям 6 4. Перечень и содержание разделов дисциплины 8 5. Примерный перечень и содержание практических (семинарских) занят...»

«Инструкция по работе в системе “PLUS.BOOKING-PRO.RU” tour@pegastour.ru СОДЕРЖАНИЕ ОПИСАНИЕ СЕРВИСА НАЧАЛО СОТРУДНИЧЕСТВА БРОНИРОВАНИЕ В СИСТЕМЕ PLUS.BOOKING-PRO.RU Поиск Выбор отеля или поставщика из списка рез...»

«ИНСТРУКЦИЯ ПО МОНТАЖУ Кросс оптический настенный типа ШКОН-П-8(16) (Ред. 04/2011) ГК-У398.00.000 Д Кросс оптический настенный типа ШКОН-П-8(16) (далее кросс) предназначен для концевой заделки, распредел...»

«БОРЬБА С КОРРУПЦИЕЙ В СТРАНАХ ВОСТОЧНОЙ ЕВРОПЫ И ЦЕНТРАЛЬНОЙ АЗИИ РЕФОРМЫ В СФЕРЕ БОРЬБЫ С КОРРУПЦИЕЙ В СТРАНАХ ВОСТОЧНОЙ ЕВРОПЫ И ЦЕНТРАЛЬНОЙ АЗИИ ДОСТИЖЕНИЯ И ПРОБЛЕМЫ, 2013-2015 ГГ. Борьба с коррупцией в странах Восточной Европы и Центральной Ази...»

«С.Л. Василенко Кролики Фибоначчи на Великой китайской стене В в е д е н и е. Перефразируя известных артистов развлекательного жанра, "кролики – это не только ценный мех, но и 2–3 килограмма"...»

«КОНТИНЕНТЫ дополнение к настольной игре "Эволюция" ПРАВИЛА ИГРЫ Долгое время суша нашей планеты была единым материком – Пангеей, но примерно 200 миллионов лет назад она разделилась на два суперконтинента: северный – Лавразию, и южный – Гондвану. С помощью до...»

«"шартты карточкасы нмірі " Крсетілетін ызметтерді мемлекеттік сатып алу туралы лгілік шарт Батыс азастан облысы № "Шарт нмірі " 0000-00-00 Ректор тласынан рекет ететін тапсырыс беруші деп аталатын азастан Республикасы Білім жне ылым министрлігіні Махамбет темісов атындаы Батыс азастан мемлекеттік у...»

«РЕЙМОНД ФРЕНЦ бывший член Руководящего совета Свидетелей Иеговы В ПОИСКАХ ХРИСТИАНСКОЙ СВОБОДЫ Найти подходящее равновесие между свободой и ответственностью — проблема, с которой сталкивается каждый серьезный христианин. Выросшим в жестко структурированном религиозном окружении людям совмещать верность религиозной организации, семье и собственн...»








 
2017 www.lib.knigi-x.ru - «Бесплатная электронная библиотека - электронные материалы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.